Dispositifs et procédés à conduction bipolaire à base de grille à conduction inverse présentant un risque de gauchissement réduit

Reverse-conducting gated-base bipolar-conduction devices and methods with reduced risk of warping

Abstract

L'invention concerne des transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) à conduction inverse, le côté collecteur comprenant des régions de borne à diode, et le matériau semi-conducteur étant beaucoup plus épais à travers les régions de borne à diode qu'il ne l'est à travers les régions du collecteur. La fraction de surface qui est occupée par les régions de borne à diode est ainsi exploitée pour fournir une rigidité accrue pour la tranche, et éviter ainsi un gauchissement.
Reverse-conducting IGBTs where the collector side includes diode terminal regions, and the semiconductor material is much thicker through the diode terminal regions than it is through the collector regions. This exploits the area fraction which is taken up by the diode terminal regions to provide increased rigidity for the wafer, and thus avoid warping.

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