Dispositif électronique utilisant un semi-conducteur à base de nitrure du groupe iii et son procédé de fabrication et tranche multicouche épitaxiale pour le fabriquer

An electronic device using group iii nitride semiconductor and its fabrication method and an epitaxial multi-layer wafer for making it

Abstract

La présente invention concerne un dispositif électronique utilisant un substrat à base de nitrure du groupe III fabriqué par l'intermédiaire du procédé ammonothermique. Par utilisation de la concentration élevée d'électrons de substrats ayant crû de manière ammonothermique ayant la densité des dislocations inférieure à 10 5 cm -2 , combinée avec une couche active de haute pureté de Ga 1-x-y Al x In y N (0≤x≤1, 0≤y≤1) qui a crû par un procédé en phase vapeur, le dispositif peut atteindre un niveau élevé de tension disruptive ainsi qu'une résistance à l'état passant faible. Pour réaliser une bonne correspondance entre le substrat ayant crû de manière ammonothermique et la couche active de haute pureté, une couche de transition est éventuellement introduite. La couche active est plus épaisse qu'une région de déplétion créée par une structure de dispositif dans la couche active.
The present invention discloses an electronic device using a group III nitride substrate fabricated via the ammonothermal method. By utilizing the high-electron concentration of ammonothermally grown substrates having the dislocation density less than 10 5 cm -2 , combined with a high-purity active layer of Ga 1-x-y Al x In y N (0≤x≤1, 0≤y≤1) grown by a vapor phase method, the device can attain high level of breakdown voltage as well as low on-resistance. To realize a good matching between the ammonothermally grown substrate and the high-purity active layer, a transition layer is optionally introduced. The active layer is thicker than a depletion region created by a device structure in the active layer.

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Patent Citations (2)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
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    Title
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